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現在位置: ホーム ja シラバス(2020年度) 工学研究科 電子工学専攻 電子材料学特論

電子材料学特論

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科目ナンバリング
  • G-ENG11 5C813 LJ72
開講年度・開講期 2020・後期
単位数 2 単位
授業形態 講義
配当学年 修士
対象学生 大学院生
使用言語 日本語
曜時限 木2
教員
  • 木本 恒暢(工学研究科 教授)
授業の概要・目的 主要な半導体材料の基礎物性やデバイス物理について,その基礎と最近の進展を概説する。
到達目標 先端電子材料の基礎物性について理解を深めると共に、材料物性、デバイス特性と関連する物理現象を習得する。
授業計画と内容 Si半導体(3回)
代表的な半導体材料であるSiのバルク成長プロセスとこれに起因する材料物性について述べる。半導体結晶における欠陥の分類と性質、不純物ゲッタリングやSOI(Silicon on Insulator)についても概説する。

太陽電池と材料(2回)
結晶Si、アモルファスSi、化合物半導体、新規材料を用いた太陽電池の特徴と課題について概説する。

先端CMOSデバイスと材料(3回)
現在のLSIの中核を構成する微細CMOSデバイスの基本構造と性能向上の工夫を説明する。Siを中心としたCMOSデバイスへの新材料の導入についても紹介する。

高周波デバイスと材料(3回)
高周波用途に適した半導体デバイス構造と動作原理を紹介した後、用いられる半導体材料の特徴と課題について概説する。

電力用パワーデバイスと材料(3回)
電力変換用途に適した半導体デバイス構造と動作原理を紹介した後、用いられる半導体材料の特徴と課題について概説する。
成績評価の方法・観点 各トピック毎に課されるレポートにより評価する。講義の出席状況も加味する。
履修要件 固体物理の基礎、半導体工学
授業外学習(予習・復習)等 必要に応じて指示する
教科書
  • なし
参考書等
  • なし