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現在位置: ホーム ja シラバス(2020年度) 工学研究科 電子工学専攻 半導体工学特論

半導体工学特論

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科目ナンバリング
  • G-ENG11 5C810 LJ72
開講年度・開講期 2020・前期
単位数 2 単位
授業形態 講義
配当学年 修士
対象学生 大学院生
使用言語 日本語
曜時限 水3
教員
  • 木本 恒暢(工学研究科 教授)
授業の概要・目的 半導体材料や半導体デバイスの理解に必要となる,半導体物理学の基礎,応用について講義を行う.
到達目標 半導体物理の基礎およびデバイス工学とのリンクを習得する。
授業計画と内容 固体のバンド理論(2回)
固体のエネルギーバンドに関して,ほとんど自由な電子の近似,強結合近似などの計算手法,代表的な半導体のエネルギーバンド構造の特徴などについて説明する.

キャリア輸送・散乱機構(4回)
ボルツマン輸送方程式を用いた電子の輸送解析,電気伝導について概説する.また半導体中におけるキャリアの散乱機構と移動度について説明する.

高電界効果(3回)
高電界下におけるキャリアのドリフト,接合の絶縁破壊現象について説明する.また,強磁場下における半導体物性についても触れる.

半導体の欠陥(2回)
半導体結晶中の欠陥(拡張欠陥,点欠陥)について,結晶学的,電子的な性質を中心に説明する.

絶縁膜/半導体界面(3回)
金属/絶縁膜/半導体(MIS, MOS)界面の電子物性や界面欠陥について説明する.
成績評価の方法・観点 定期試験により評価する.
履修要件 学部レベルの半導体工学,量子力学の基礎
授業外学習(予習・復習)等 必要に応じて指示する。
教科書
  • 板書,配布プリントを中心に講義する.
参考書等
  • 半導体の物理[改訂版], 御子柴宣夫, (培風館),
  • Physics of Semiconductor Devices , S. M. Sze ), ( Wiley Interscience),
  • Fundamentals of Semiconductors , P.Y.Yu and M. Cardona, (Springer),